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單晶薄膜碳化(huà)矽片高溫燒結電爐

作者: 發布時間:2023-05-15 瀏覽次數:9111
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  • 碳化矽外延片是指在碳化矽襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜(外延層)的(de)碳化矽片。
  • SiC器件是指以碳化矽為原材料製成的器件,按照電(diàn)阻性能的(de)不同分(fèn)為導電型碳化(huà)矽功率器件和半絕緣型碳化矽基射頻器件。SiC器件(jiàn)在高(gāo)溫、高壓、高頻、大功率(lǜ)電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環境應用領(lǐng)域有(yǒu)著不可替代的優勢,彌補了傳統半導(dǎo)體材料(liào)器件在實際應用中的缺陷,正逐漸成為功率半導體的主流。

  • 高溫真空(kōng)石墨.jpg


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