高溫電（diàn）爐生產（chǎn）多（duō）晶矽的核心設備，其采用鍾罩式反應器高溫電爐，將混合後的SiHCl3和H2從反應器底部的眾多噴口噴（pēn）入，SiHCl3和H2反應，非均向（xiàng）成核生成多晶矽沉積在矽芯（xīn）表麵，逐漸長大成矽（guī）棒，生長過程（chéng）中矽棒表麵溫度（dù）1050~1100C。在非（fēi）均向成核進行的同時，SiHCl3和H2也發生均向成核（hé）反應生成無定型矽粉，反（fǎn）應的程度主（zhǔ）要取決於（yú）溫度、配比等方麵的因素。為避免（miǎn）均向成核產（chǎn）生大量的矽粉，流體采用混（hún）流，即噴嘴引入冷物流持續噴向高溫的矽棒表麵，避免局部溫度過高引發爆米花和大量（liàng）矽（guī）粉的產生（shēng），這種模式也（yě）決定了還原爐噴口直噴、氣流底進（jìn）底（dǐ）出的現有模式（shì）。也正因為此，高溫進料（進料溫度高會引起（qǐ）大（dà）量矽粉）及平推（tuī）式（shì）反應模型（xíng）（比（bǐ）如噴口（kǒu）完全側噴、氣流底進頂出）都是會失敗（bài）的。

  高溫電爐流體力學模擬是個複雜的計算過程（chéng），小編為了簡化說明問題，把複雜（zá）的計算和（hé）抽象的模擬舍棄，僅以幾個氣體射流（liú）基本公式來推理噴口流（liú）速的合理（lǐ）取值。

  氣體射流是流體力學基本的模型，當（dāng）氣體從（cóng）孔口或管嘴以一定的流速噴出後，由於射流為紊流流（liú）態，紊流（liú）的橫（héng）向脈動造成射流與周圍氣（qì）體發生動量交換，從而把相鄰的靜止流體卷吸到射流中來，兩者一起向前運動，於是射流的過流斷麵沿程不斷擴大，流量不斷（duàn）增加。